هواوی در حال توسعه دو تراشه ۳ نانومتری پیشرفته است. طبق گزارش‌ها، با وجود تحریم‌های آمریکا که دسترسی به فناوری‌های پیشرفته را محدود کرده‌اند، این شرکت دو مسیر متفاوت را دنبال می‌کند
روش اول طراحی مبتنی بر Gate-All-Around (GAA) FET که کارایی و مصرف انرژی بهتری نسبت به تراشه‌های قبلی Kirin ارائه می‌دهد. روش دوم نیز استفاده از نانولوله‌های کربنی به‌عنوان جایگزین سیلیکون که می‌تواند عملکرد بهتری داشته باشد، اما هنوز پیشرفت آن مشخص نیست.
هواوی قصد دارد تا سال ۲۰۲۶ اولین نمونه‌های آزمایشی این تراشه‌ها را تولید کند و در صورت موفقیت، تولید انبوه را برای سال ۲۰۲۷ برنامه‌ریزی کرده است. با این حال، چالش‌های بزرگی مانند کاهش بازده تولید و هزینه‌های بالای فرآیند DUV وجود دارند که ممکن است مانع از تولید گسترده شوند.
این شرکت همچنین ۳۷ میلیارد دلار روی توسعه فناوری EUV داخلی سرمایه‌گذاری کرده است، اما برخی کارشناسان معتقدند که شرکت ASML همچنان در این زمینه برتری دارد. با این حال، هواوی اطلاعات مربوط به پیشرفت EUV خود را مشابه روند عرضه تراشه Kirin 9010 محرمانه نگه داشته است. آیا هواوی می‌تواند با این فناوری‌ها فاصله خود را با TSMC و سامسونگ کاهش دهد؟
